データテーブル | イメージ | 製造元。セクション # | ストック | 価格 | はかる | Packaging | Series | Product Status | Frequency | Bandwidth | Filter Type | Ripple | Insertion Loss | Mounting Type | Size / Dimension |
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CGH4009090 W RF Power GaN HEMT |
3000 | 0.00 |
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0 | 4000 | 90 | 14.0 | 55 | 28 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGH40120120 W RF Power GaN HEMT |
3000 | 0.00 |
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0 | 3000 | 120 | 15.0 | 70 | 28 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGH40180180 W RF Power GaN HEMT |
3000 | 0.00 |
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0 | 3000 | 180 | 15.0 | 70 | 28 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGH5501510 W; C - band; Unmatched; GaN HEMT |
3000 | 0.00 |
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0 | 6000 | 10 | 12.0 | 60 | 28 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGH5503030 W; 5500 - 5800 MHz; 28 V; GaN HEMT for WiMAX |
3000 | 0.00 |
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0 | 6000 | 30 | 10.0 | 25 | 28 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV14250250 W; DC - 1600 MHz; GaN HEMT for L - Band Radar Systems |
3000 | 0.00 |
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0 | 1600 | 250 | 18.0 | 77 | 50 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV14500500 W; 1200 - 1400 MHz; GaN HEMT for L - Band Radar Systems |
3000 | 0.00 |
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1200 | 1400 | 500 | 16.0 | 68 | 50 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV14800800 W; 1200 - 1400 MHz; GaN HEMT for L - Band Radar Systems |
3000 | 0.00 |
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1200 | 1400 | 800 | 16.0 | 65 | 50 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV1A2508.8 - 9.6 GHz, 300 W, 45 V, Packaged GaN Transistor |
3000 | 0.00 |
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8800 | 9600 | 300 | 12.0 | 40 | 45 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV1F0066 W; DC - 15.0 GHz; 40 V; GaN HEMT |
3000 | 0.00 |
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0 | 15000 | 6 | 7.0 | 52 | 40 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV1F02525 W; DC - 15 GHz; 40 V; GaN HEMT |
3000 | 0.00 |
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0 | 15000 | 25 | 11.0 | 51 | 40 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV2703030 W; DC - 6.0 GHz; GaN HEMT |
3000 | 0.00 |
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0 | 6000 | 30 | 21.0 | 32 | 50 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV2706060 W; DC to 2700 MHz; 50 V; GaN HEMT for LTE and Pulse-Radar Applications |
3000 | 0.00 |
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0 | 2700 | 60 | 16.5 | 64 | 50 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV31500500W, 2.7 - 3.1 GHz, GaN IMFET |
3000 | 0.00 |
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2700 | 3100 | 500 | 12.7 | 60 | 50 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV35150150 W; 2900 - 3500 MHz; 50 V; GaN HEMT for S-Band Radar Systems |
3000 | 0.00 |
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2900 | 3500 | 150 | 13.5 | 50 | 50 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV35400400 W; 2900 - 3500 MHz; 50 ohm Input/Output Matched; GaN HEMT for S-Band Radar Systems |
3000 | 0.00 |
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2900 | 3500 | 400 | 11.0 | 60 | 50 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV4003030 W; DC - 6 GHz; 50 V; GaN HEMT |
3000 | 0.00 |
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0 | 6000 | 30 | 16.0 | 70 | 50 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV4005050 W; DC - 4.0 GHz; 50 V; GaN HEMT |
3000 | 0.00 |
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0 | 4000 | 50 | 16.0 | 53 | 50 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV40100100 W; DC CGHV40100 3 GHz; 50 V; GaN HEMT |
3000 | 0.00 |
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0 | 3000 | 100 | 17.5 | 55 | 50 | Packaged Discrete Transistor | |||
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CGHV40180180 W; DC - 2 GHz; GaN HEMT |
3000 | 0.00 |
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0 | 2000 | 200 | 24.0 | 70 | 27 | Packaged Discrete Transistor |